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Les plaquettes BSOI (Bonded Silicon-On-Insulator) sont des substrats semi-conducteurs avancés utilisés dans la fabrication de circuits intégrés de haute performance et de faible puissance. Ces plaquettes sont conçues pour améliorer l'efficacité et les capacités des dispositifs électroniques en utilisant une structure unique qui comprend une couche de silicium liée à une couche isolante. qui comprend une couche de silicium liée à une couche isolante.
Couche de silicium. Il s'agit de la couche supérieure où sont fabriqués les dispositifs actifs. Elle fournit une surface cristalline de haute qualité pour la création de transistors et d'autres composants. Elle fournit une surface cristalline de haute qualité pour la création de transistors et d'autres composants.
Couche d'oxyde enfouie (BOX). Sous la couche de silicium se trouve la couche d'oxyde enfouie, généralement constituée de dioxyde de silicium (SiO₂). Cette couche isolante isole électriquement la couche de silicium du substrat sous-jacent, réduisant ainsi la capacité parasite et les courants de fuite.
Substrat de silicium. La couche de base qui fournit un support mécanique à l'ensemble de la structure. Cette couche est généralement une plaquette de silicium épaisse.
1. une consommation d'énergie réduite. La couche isolante BOX minimise les courants de fuite, ce qui permet de réduire la consommation d'énergie globale des dispositifs.
2. l'amélioration des performances. Les plaquettes BSOI réduisent la capacité parasite, ce qui permet d'accélérer les vitesses de commutation et d'améliorer les performances des dispositifs.
3. une meilleure gestion thermique. La couche BOX contribue à l'isolation thermique, ce qui améliore la gestion thermique des appareils et leur permet de fonctionner efficacement à des températures plus élevées. La couche BOX contribue à l'isolation thermique, ce qui améliore la gestion thermique des appareils et leur permet de fonctionner efficacement à des températures plus élevées.
4) Amélioration de la mise à l'échelle des appareils. La technologie BSOI facilite la miniaturisation des composants électroniques, soutenant ainsi la tendance actuelle vers des appareils électroniques plus petits et plus puissants. La technologie BSOI facilite la miniaturisation des composants électroniques, soutenant ainsi la tendance actuelle vers des appareils électroniques plus petits et plus puissants.
1. les processeurs haute performance. Les plaquettes BSOI sont couramment utilisées dans la fabrication de processeurs à haute performance pour les ordinateurs et les appareils mobiles en raison de leur capacité à améliorer la vitesse et à réduire la consommation d'énergie. et de réduire la consommation d'énergie.
2. circuits de radiofréquence (RF) et circuits analogiques. Ces plaquettes sont idéales pour les circuits RF et analogiques, car elles offrent de meilleures performances en matière de bruit et de linéarité.
3. capteurs et MEMS. La technologie BSOI est également utilisée dans la production de capteurs de haute précision et de systèmes micro-électro-mécaniques (MEMS), bénéficiant de son excellente isolation électrique et de ses propriétés mécaniques. isolation électrique et de ses propriétés mécaniques.
La création de plaquettes BSOI comporte plusieurs étapes clés.
1. l'oxydation. Une fine couche de dioxyde de silicium est cultivée ou déposée sur une plaquette de silicium.
2. le collage. Une autre plaquette de silicium est collée à la surface oxydée, créant ainsi une structure en sandwich.
3. l'éclaircissement. La tranche de silicium supérieure est ensuite amincie jusqu'à l'épaisseur souhaitée à l'aide de techniques telles que le meulage, le polissage et la gravure.
4. recuit. Les plaquettes collées sont recuites pour renforcer la liaison et améliorer la qualité de la couche d'oxyde enfouie.
Les plaquettes BSOI représentent une avancée cruciale dans la technologie des semi-conducteurs, permettant le développement d'appareils électroniques plus rapides, plus efficaces et moins gourmands en énergie. Leur structure et leurs propriétés uniques en font un composant essentiel de l'électronique moderne, à l'origine d'innovations dans divers domaines. Leur structure et leurs propriétés uniques en font un composant essentiel de l'électronique moderne, à l'origine d'innovations dans divers domaines.
| Méthode de croissance | Cz, MCz, A-MCz® |
| Diamètre | 150 mm, 200 mm |
| Orientation du cristal | , , |
| Dopants de type N | Antimoine, Phosphore |
| Dopants de type P | Bore |
| Résistivité | De 7 000 Ohm-cm*. *: : La plage de résistivité varie en fonction du dopant et de l'orientation. |
| Epaisseur de la couche du dispositif | De 1 μm à >200 μm Tolérance ±0,5 μm (BSOI standard), ±0,3 μm (0,3 SOI), ±0,1 μm (E-SOI)®, SOI), ±0,5 μm ou moins (C-SOI®) |
| Épaisseur de la couche d'oxyde enfouie | De 0,3 μm à 4 μm, typiquement entre 0,5 μm et 2 μm. Type : oxyde thermique |
| Épaisseur de la plaquette de manutention | 200 mm : 300 μm à 950 μm, typiquement 725 μm 150 mm : 300 μm à 950 μm, typiquement 380 μm |
| Face arrière | Poli ou gravé |
| Terrasse | Standard ou sans terrasse (disponible pour 200 mm BSOI, E-SOI)®et de gestion de l'énergie (SOI) |
Les plaques BSOI (Bonded Silicon-On-Insulator) transforment l'industrie des semi-conducteurs en permettant des conceptions de dispositifs plus ambitieuses alors que les plaques BSOI ne sont pas encore disponibles sur le marché. Voici comment les plaquettes BSOI y parviennent.
1. des performances accrues à moindre coût
(1) Vitesse élevée et faible consommation d'énergie. Réduction de la capacité parasite : la couche d'oxyde enterrée (BOX) dans les plaquettes BSOI minimise la capacité parasite, ce qui permet d'accélérer les vitesses de commutation.
(2) Réduction des fuites de puissance. Les propriétés isolantes de la couche BOX réduisent considérablement les fuites d'énergie, ce qui se traduit par une réduction de la consommation globale d'énergie, ce qui est particulièrement bénéfique pour les appareils alimentés par batterie et prolonge leur durée de vie. particulièrement bénéfique pour les appareils alimentés par batterie, en prolongeant la durée de vie de la batterie.
(3) Évolutivité : miniaturisation des appareils. La technologie BSOI contribue à la miniaturisation continue des composants électroniques, ce qui permet d'intégrer davantage de fonctionnalités dans des espaces plus réduits sans augmentation proportionnelle des coûts.
2. une meilleure gestion thermique
(1) Isolation thermique. La couche BOX assure une isolation thermique efficace, ce qui améliore la dissipation de la chaleur et permet aux appareils de fonctionner à des vitesses plus élevées sans surchauffe. Les performances et la fiabilité s'en trouvent améliorées, ce qui réduit la nécessité de recourir à des solutions de refroidissement coûteuses.
3. une fabrication rentable
(1) Processus de fabrication simplifié. Intégration et rendement : les plaquettes BSOI simplifient l'intégration d'architectures de dispositifs complexes, améliorant ainsi les taux de rendement pendant la fabrication. Des rendements plus élevés se traduisent par des coûts plus faibles par puce.
(2) Compatibilité avec les infrastructures existantes. Les plaquettes BSOI peuvent être traitées en utilisant l'équipement de fabrication de semi-conducteurs existant, ce qui minimise la nécessité d'un investissement important dans de nouveaux outils ou processus. ou de nouveaux procédés.
4. la polyvalence des applications
Divers cas d'utilisation.
(1) Calcul à haute performance. Les plaquettes BSOI sont idéales pour les processeurs haute performance utilisés dans les ordinateurs, les serveurs et les appareils mobiles, car elles offrent une vitesse et une efficacité énergétique supérieures. .
(2) Applications RF et analogiques. Le faible bruit et la haute linéarité des plaquettes BSOI les rendent adaptés aux circuits RF et analogiques, qui sont cruciaux dans les télécommunications et les appareils IoT.
(3) Capteurs et MEMS. La technologie BSOI améliore la précision et la fiabilité des capteurs et des MEMS, qui sont largement utilisés dans les secteurs de l'automobile, de la santé et de l'industrie. industrielles.
5. fiabilité et longévité
(1) Amélioration de la longévité de l'appareil. La réduction de la consommation d'énergie et l'amélioration de la gestion thermique contribuent à la longévité des dispositifs fabriqués avec des plaquettes BSOI. Cette fiabilité réduit le coût total de possession, ce qui rend les dispositifs à base de BSOI plus rentables tout au long de leur durée de vie. La réduction de la consommation d'énergie et l'amélioration de la gestion thermique contribuent à la longévité des dispositifs fabriqués avec des plaquettes BSOI.
La plaquette BSOI est une solution avancée qui présente de nombreux avantages.
Variantes du BSOI pour les besoins spécifiques:
Le Xinkehui 0.3 SOI est une plaquette de silicium sur isolant collée, qui comporte une couche d'oxyde enterrée (BOX) entre une plaquette de poignée inférieure et une plaquette de silicium supérieure qui est amincie avec une précision supplémentaire pour obtenir une tolérance améliorée de ±0,3 μm de l'épaisseur de la couche du dispositif. Cette uniformité améliorée du dispositif est une solution relativement rentable qui permet d'améliorer les performances et la précision du dispositif. Cette uniformité améliorée du dispositif est une solution relativement rentable permettant d'améliorer les performances et la précision du dispositif et d'offrir une liberté supplémentaire à la conception du dispositif. avec Xinkehui E-SOI® La plaquette de 0,3 SOI est une plate-forme avantageuse pour de nombreux dispositifs MEMS tels que les capteurs de pression et les résonateurs.
La plaquette DSOI de Xinkehui est une plaquette de silicium sur isolant liée, qui comporte deux dispositifs et des couches d'oxyde enfouies d'épaisseurs différentes. La plaquette D-SOI est une plaquette de silicium sur isolant (D-SOI). La plaquette D-SOI est une plate-forme avantageuse pour les dispositifs MEMS et photoniques.
Le Xinkehui LSOI est une plaquette de silicium sur isolant collée qui combine une couche de dispositif épaisse et fortement dopée. Ce type de plaquette de silicium sur isolant collée à faible résistivité est avantageux pour certains dispositifs MEMS, tels que les oscillateurs au silicium. Ce type de plaquette de silicium sur isolant à faible résistivité est avantageux pour certains dispositifs MEMS, par exemple les oscillateurs au silicium, car aucun emballage externe n'est nécessaire, contrairement aux oscillateurs à base de quartz. La taille de la carte est réduite et il n'y a pas de problèmes de qualité avec les puces externes.
Le Xinkehui Thick SOI est une plaquette de silicium sur isolant collée, dotée d'une couche de dispositif très épaisse. Le processus de collage permet de fabriquer des couches de dispositif SOI très épaisses, de plus de 200 μm, qui ne seraient pas possibles avec d'autres technologies concurrentes.
Xinkehui présente les avantages suivants dans le traitement des plaquettes BSOI (Bonded Silicon on Insulator).
1. traitement de haute précision Xinkehui utilise des équipements et des technologies de pointe pour réaliser un traitement de haute précision, ce qui est particulièrement important pour la production de plaquettes BSOI, car la structure BSOI nécessite un contrôle très précis. Ceci est particulièrement important pour la production de plaquettes BSOI, car la structure BSOI nécessite un contrôle très précis.
2. des matériaux de haute qualité. Xinkehui utilise des plaquettes de silicium et des matériaux d'oxyde de haute qualité pour garantir la haute performance et la fiabilité du produit final.
3. une production efficace. Xinkehui dispose d'une chaîne de production automatisée et d'un processus de production efficace, ce qui lui permet de répondre rapidement aux besoins des clients et de raccourcir les cycles de livraison.
4. l'assistance technique. Xinkehui dispose d'une équipe technique professionnelle qui peut fournir aux clients une assistance technique complète et des solutions pour les aider à résoudre les divers problèmes rencontrés dans le traitement des plaquettes BSOI. divers problèmes rencontrés dans le traitement des plaquettes BSOI.
5. la capacité d'innovation. Xinkehui poursuit ses activités d'innovation technologique et de recherche et développement, et s'engage à améliorer les performances des plaquettes BSOI et à réduire les coûts de production. réduire les coûts de production.
6. un contrôle de qualité fiable. Xinkehui met en œuvre un système strict de contrôle de la qualité, avec des tests et des contrôles rigoureux à chaque étape, de l'achat des matières premières à la production et à la fabrication, afin de garantir la stabilité et la fiabilité de la qualité des produits. Le système de contrôle de la qualité de Xinkehui est très strict.
Ces avantages permettent à Xinkehui de maintenir sa compétitivité dans le domaine du traitement des plaquettes BSOI et de fournir à ses clients des produits et des services de haute qualité. Les produits et les services de Xinkehui sont de haute qualité.
Outre les plaquettes BSOI, nous pouvons également vous fournir de nombreux autres produits optiques. Nous nous réjouissons de votre consultation.
