{"id":1097,"date":"2024-08-14T14:02:00","date_gmt":"2024-08-14T06:02:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/?p=1097"},"modified":"2024-08-14T15:36:19","modified_gmt":"2024-08-14T07:36:19","slug":"e-soi-wafer","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/e-soi-wafer\/","title":{"rendered":"E-SOI skiva"},"content":{"rendered":"

Introduktion av E-SOI Wafer<\/h2>\n\n\n\n

E-SOI-wafers \u00e4r f\u00f6rb\u00e4ttrade bondade kisel-p\u00e5-isolator-wafers med ett begravt oxidskikt (BOX) mellan den nedre handtagswafern och den \u00f6vre kiselwafern som tunnas med extremt h\u00f6g precision f\u00f6r att uppn\u00e5 enhetlighet i enhetslagrets tjocklek. som tunnas ut med extremt h\u00f6g precision f\u00f6r att uppn\u00e5 b\u00e4sta m\u00f6jliga enhetlighet i tjockleken p\u00e5 enhetslagret. Enhetslagret p\u00e5 Enhanced SOI (E-SOI)-skivor kan g\u00f6ras tjockare och mer exakt. Enhetslagret p\u00e5 Enhanced SOI (E-SOI) wafers kan g\u00f6ras tjockare och mer enhetligt \u00e4n konkurrerande SOI-teknologier.<\/p>\n\n\n\n

\n
\n
\"BSOI-wafers-5
E-SOI skiva<\/figcaption><\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n

MEMS-sensorer byggs vanligen p\u00e5 device-skiktet medan den begravda oxiden (BOX) \u00e4r ett utm\u00e4rkt elektriskt isolerande skikt och ett effektivt etsningsstopp. BOX-skiktet kan ocks\u00e5 fungera som ett offerskikt f\u00f6r komplexa komponenter och frigjorda strukturer. Handtagsskivan st\u00f6der strukturen, men kan ocks\u00e5 anv\u00e4ndas f\u00f6r att f\u00f6rsegla strukturen eller som en del av sensorelementet.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

F\u00f6rdelar med E-SOI Wafer<\/h2>\n\n\n\n

En E-SOI (Enhanced Silicon-On-Insulator)-skiva \u00e4r en specialiserad typ av halvledarsubstrat som erbjuder flera f\u00f6rdelar vid tillverkning av av integrerade kretsar (IC). Dessa f\u00f6rdelar inkluderar.<\/p>\n\n\n\n

1. Minskad str\u00f6mf\u00f6rbrukning<\/mark><\/strong>
E-SOI-wafers m\u00f6jligg\u00f6r l\u00e4gre str\u00f6mf\u00f6rbrukning i integrerade kretsar eftersom det isolerande skiktet (vanligtvis kiseldioxid) minskar l\u00e4ckstr\u00f6mmarna. Detta \u00e4r s\u00e4rskilt viktigt i mobila och batteridrivna enheter.<\/p>\n\n\n\n

2. F\u00f6rb\u00e4ttrad prestanda<\/mark><\/strong>
Den minskade parasitkapacitansen i E-SOI-wafers \u00f6kar transistorernas hastighet, vilket leder till snabbare kretsdrift. Detta g\u00f6r E-SOI-wafers Detta g\u00f6r att E-SOI-wafers l\u00e4mpar sig f\u00f6r h\u00f6ghastighetsapplikationer.<\/p>\n\n\n\n

3. B\u00e4ttre v\u00e4rmeavledning<\/mark><\/strong>
Det isolerande skiktet i E-SOI-wafers bidrar till b\u00e4ttre v\u00e4rmehantering och minskar den v\u00e4rme som genereras av kretsarna. Detta \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r att bibeh\u00e5lla prestanda och tillf\u00f6rlitlighet i IC:er med h\u00f6g densitet.<\/p>\n\n\n\n

4. L\u00e4gre ljudniv\u00e5 i substratet<\/mark><\/strong>
E-SOI-wafers uppvisar l\u00e4gre substratbrus p\u00e5 grund av den isolering som det begravda oxidskiktet ger. Detta \u00e4r f\u00f6rdelaktigt f\u00f6r analoga kretsar och kretsar med blandad signal Detta \u00e4r f\u00f6rdelaktigt f\u00f6r analoga kretsar och kretsar med blandade signaler d\u00e4r brus kan f\u00f6rs\u00e4mra prestandan.<\/p>\n\n\n\n

5. Skalbarhet och integration<\/mark><\/strong>
E-SOI-tekniken g\u00f6r det m\u00f6jligt att minska antalet transistorer och skapa mindre och t\u00e4tare kretsar. Den underl\u00e4ttar ocks\u00e5 integrationen av olika typer av enheter (t.ex. analoga, RF och digitala) p\u00e5 samma chip. Det underl\u00e4ttar ocks\u00e5 integrationen av olika typer av enheter (t.ex. analoga, RF, digitala) p\u00e5 samma chip.<\/p>\n\n\n\n

6. Str\u00e5lningsh\u00e5rdhet<\/mark><\/strong>
E-SOI-wafers \u00e4r mer motst\u00e5ndskraftiga mot str\u00e5lningsinducerade mjuka fel, vilket g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r applikationer i rymden, milit\u00e4ren och andra milj\u00f6er med h\u00f6g str\u00e5lning. milj\u00f6er.<\/p>\n\n\n\n

7. F\u00f6rb\u00e4ttrad designflexibilitet<\/mark><\/strong>
E-SOI-strukturen ger st\u00f6rre flexibilitet i kretsdesignen, vilket g\u00f6r det m\u00f6jligt att implementera avancerade funktioner som dynamisk justering av tr\u00f6skelsp\u00e4nningen som kan optimera prestanda och str\u00f6mf\u00f6rbrukning p\u00e5 ett dynamiskt s\u00e4tt.<\/p>\n\n\n\n

8. Minskade effekter p\u00e5 korta kanaler<\/mark><\/strong>
Det isolerande skiktet i E-SOI-wafers minskar kortkanaleffekterna, som \u00e4r vanliga i mycket sm\u00e5 transistorer. Detta bidrar till att bibeh\u00e5lla transistorernas integritet och prestanda n\u00e4r de skalas ned. Det isolerande skiktet i E-SOI-wafers minskar kortkanaleffekterna som \u00e4r vanliga i mycket sm\u00e5 transistorer.<\/p>\n\n\n\n

9. L\u00e4gre parasitisk kapacitans<\/mark><\/strong>
SOI-strukturen bidrar till att minska den parasit\u00e4ra kapacitansen mellan enheten och substratet, vilket leder till snabbare v\u00e4xlingshastigheter och f\u00f6rb\u00e4ttrad SOI-strukturen bidrar till att minska den parasit\u00e4ra kapacitansen mellan enheten och substratet, vilket leder till snabbare v\u00e4xlingshastigheter och f\u00f6rb\u00e4ttrad.<\/p>\n\n\n\n

\n
\n
\"E-SOI-wafer-<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n

E-SOI-wafern \u00e4r en avancerad l\u00f6sning med flera f\u00f6rdelar.<\/strong><\/p>\n\n\n\n

1. St\u00f6rre frihet att utforma enheter \u00e4n med konkurrerande tekniker<\/p>\n\n\n\n

2. F\u00f6rb\u00e4ttrad enhetsprestanda och precision<\/p>\n\n\n\n

3. Minskad storlek och kostnad f\u00f6r enheten<\/p>\n\n\n\n

4. F\u00f6rb\u00e4ttrat utbyte av enheter<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Dessa f\u00f6rdelar g\u00f6r E-SOI-wafers till ett v\u00e4rdefullt val inom avancerad halvledartillverkning, s\u00e4rskilt f\u00f6r applikationer som kr\u00e4ver h\u00f6g prestanda, l\u00e5g energif\u00f6rbrukning och h\u00f6g tillf\u00f6rlitlighet. prestanda, l\u00e5g str\u00f6mf\u00f6rbrukning och h\u00f6g tillf\u00f6rlitlighet.<\/p>\n\n\n\n

Till\u00e4mpning av E-SOI Wafer<\/h2>\n\n\n\n

E-SOI-wafers (Enhanced Silicon-On-Insulator) anv\u00e4nds i olika till\u00e4mpningar inom olika sektorer tack vare sin f\u00f6rm\u00e5ga att f\u00f6rb\u00e4ttra prestanda, minska str\u00f6mf\u00f6rbrukningen och \u00f6ka tillf\u00f6rlitligheten i integrerade kretsar (IC). E-SOI (Enhanced Silicon-On-Insulator) wafers anv\u00e4nds i olika till\u00e4mpningar inom olika sektorer p\u00e5 grund av sin f\u00f6rm\u00e5ga att f\u00f6rb\u00e4ttra prestanda, minska energif\u00f6rbrukningen och \u00f6ka tillf\u00f6rlitligheten i integrerade kretsar (IC). N\u00e5gra viktiga till\u00e4mpningar av E-SOI-wafers \u00e4r bl.a.<\/p>\n\n\n\n

1. Mobila enheter och b\u00e4rbara produkter<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Smartphones<\/strong> och smarta klockor<\/strong> dra nytta av E-SOI-wafers tack vare deras l\u00e5ga str\u00f6mf\u00f6rbrukning och h\u00f6ghastighetskapacitet. Dessa egenskaper \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r att f\u00f6rl\u00e4nga batteritiden Dessa egenskaper \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r att f\u00f6rl\u00e4nga batteritiden och samtidigt bibeh\u00e5lla h\u00f6g prestanda i b\u00e4rbar elektronik.<\/p>\n\n\n\n

2. H\u00f6gpresterande datorsystem (HPC)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

E-SOI-wafers anv\u00e4nds i mikroprocessorer<\/strong> och grafiska bearbetningsenheter (GPU)<\/strong> Den minskade parasitkapacitansen och den f\u00f6rb\u00e4ttrade termiska hanteringen m\u00f6jligg\u00f6r snabbare bearbetningshastigheter och h\u00f6gre effektivitet, vilket \u00e4r viktigt i HPC-milj\u00f6er. Den minskade parasitkapacitansen och den f\u00f6rb\u00e4ttrade termiska hanteringen m\u00f6jligg\u00f6r snabbare bearbetningshastigheter och h\u00f6gre effektivitet, vilket \u00e4r viktigt i HPC-milj\u00f6er.<\/p>\n\n\n\n

3. Fordonselektronik<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Inom fordonsindustrin anv\u00e4nds E-SOI-wafers i avancerade system f\u00f6r f\u00f6rarassistans (ADAS)<\/strong>, Infotainmentsystem<\/strong>, Waferns f\u00f6rm\u00e5ga att fungera tillf\u00f6rlitligt i h\u00f6gtemperaturmilj\u00f6er och deras motst\u00e5ndskraft mot str\u00e5lningsinducerade fel \u00e4r s\u00e4rskilt v\u00e4rdefulla i fordonstill\u00e4mpningar. Wafers f\u00f6rm\u00e5ga att fungera tillf\u00f6rlitligt i h\u00f6gtemperaturmilj\u00f6er och deras motst\u00e5ndskraft mot str\u00e5lningsinducerade fel \u00e4r s\u00e4rskilt v\u00e4rdefulla i fordonstill\u00e4mpningar.<\/p>\n\n\n\n

4. Sakernas internet (IoT)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

E-SOI-wafers anv\u00e4nds i IoT-enheter som kr\u00e4ver l\u00e5g str\u00f6mf\u00f6rbrukning och h\u00f6g prestanda, t.ex. smarta sensorer<\/strong>, uppkopplade hush\u00e5llsapparater<\/strong>, och industriell IoT<\/strong> Energieffektiviteten hos E-SOI-wafers \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r enheter som m\u00e5ste drivas med sm\u00e5 batterier under l\u00e4ngre perioder.<\/p>\n\n\n\n

5. Telekommunikation<\/strong><\/p>\n\n\n\n

E-SOI-wafers anv\u00e4nds i 5G-infrastruktur<\/strong> och n\u00e4tverksutrustning<\/strong>, De st\u00f6der integrationen av h\u00f6gfrekvenskomponenter, som \u00e4r n\u00f6dv\u00e4ndiga f\u00f6r moderna kommunikationssystem. De st\u00f6der integrationen av h\u00f6gfrekvenskomponenter, som \u00e4r n\u00f6dv\u00e4ndiga f\u00f6r moderna kommunikationssystem.<\/p>\n\n\n\n

6. Flyg-, rymd- och f\u00f6rsvarsindustrin<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Str\u00e5lningsh\u00e5rdheten hos E-SOI-wafers g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r anv\u00e4ndning i satelliter<\/strong>, rymdfarkost<\/strong>, och Milit\u00e4r elektronik<\/strong>. Dessa applikationer kr\u00e4ver h\u00f6g tillf\u00f6rlitlighet i tuffa milj\u00f6er, d\u00e4r traditionella kiselskivor kan g\u00e5 s\u00f6nder.<\/p>\n\n\n\n

7. Konsumentelektronik<\/strong><\/p>\n\n\n\n

E-SOI-wafers anv\u00e4nds i olika typer av konsumentelektronik, bland annat spelkonsoler<\/strong>, TV-apparater<\/strong>, och Ljudsystem<\/strong>. Den f\u00f6rb\u00e4ttrade prestandan och str\u00f6meffektiviteten bidrar till b\u00e4ttre anv\u00e4ndarupplevelser i dessa enheter.<\/p>\n\n\n\n

8. Medicintekniska produkter<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Inom det medicinska omr\u00e5det anv\u00e4nds E-SOI-wafers i implanterbara enheter<\/strong>, b\u00e4rbar diagnostisk utrustning<\/strong>, och andra medicinsk elektronik<\/strong>. Waferns l\u00e5ga str\u00f6mf\u00f6rbrukning och tillf\u00f6rlitlighet \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r enheter som m\u00e5ste arbeta kontinuerligt eller i k\u00e4nsliga milj\u00f6er.<\/p>\n\n\n\n

9. Mixed-signal- och RF-kretsar<\/strong><\/p>\n\n\n\n

E-SOI-wafers \u00e4r idealiska f\u00f6r IC-kretsar med blandad signal<\/strong> och RF-kretsar (radiofrekvens)<\/strong>, Dessa applikationer inkluderar tr\u00e5dl\u00f6sa kommunikationsenheter<\/strong> och Radarsystem<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n

10. Artificiell intelligens (AI) och maskininl\u00e4rning (ML)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

E-SOI-wafers anv\u00e4nds i allt st\u00f6rre utstr\u00e4ckning i AI-acceleratorer<\/strong> och ML-processorer<\/strong>. Kombinationen av h\u00f6g hastighet, l\u00e5g energif\u00f6rbrukning och skalbarhet g\u00f6r E-SOI-wafers l\u00e4mpliga f\u00f6r att hantera de intensiva ber\u00e4kningsbehoven hos AI- och ML-algoritmer.<\/p>\n\n\n\n

\n
\"R-4<\/figure>\n\n\n\n
\"Hcf148dde7bc94500a43215eb57c8849fc<\/figure>\n\n\n\n
\"OIP-10<\/figure>\n<\/figure>\n\n\n\n

Dessa till\u00e4mpningar visar hur m\u00e5ngsidiga och viktiga E-SOI-wafers \u00e4r i modern elektronik, s\u00e4rskilt inom omr\u00e5den d\u00e4r prestanda, effekt och tillf\u00f6rlitlighet \u00e4r av st\u00f6rsta vikt.<\/p>\n\n\n\n

F\u00f6rdelar med v\u00e5r produktion av SOI-wafers<\/h2>\n\n\n\n

N\u00e4r det g\u00e4ller tillverkning av E-SOI (Enhanced Silicon On Insulator) wafers har xinkehuij f\u00f6ljande f\u00f6rdelar.<\/p>\n\n\n\n

1. Teknisk kapacitet<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Avancerad processtyrning.<\/strong> Med h\u00f6g precision och stabil processteknik kan den uppfylla strikta specifikationer n\u00e4r det g\u00e4ller SOI-skiktets tjocklek och j\u00e4mnhet.<\/p>\n\n\n\n

(2)<\/strong> Innovationsf\u00f6rm\u00e5ga.<\/strong> Unika tekniska innovationer anv\u00e4nds i produktionsprocessen, t.ex. inf\u00f6rande av nya material eller unika tillverkningsprocesser, vilket f\u00f6rb\u00e4ttrar wafers elektriska prestanda och tillf\u00f6rlitlighet. som f\u00f6rb\u00e4ttrar den elektriska prestandan och tillf\u00f6rlitligheten hos wafers.<\/p>\n\n\n\n

2. Utrustning och anl\u00e4ggningar<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1)<\/strong> Avancerad utrustning. <\/strong>Anv\u00e4ndningen av avancerad utrustning som jonimplanterare, utrustning f\u00f6r epitaxial tillv\u00e4xt och utrustning f\u00f6r kemisk mekanisk polering (CMP) s\u00e4kerst\u00e4ller h\u00f6g Anv\u00e4ndningen av avancerad utrustning som jonimplanterare, utrustning f\u00f6r epitaxial tillv\u00e4xt och kemisk mekanisk polering (CMP) s\u00e4kerst\u00e4ller h\u00f6g kvalitet.<\/p>\n\n\n\n

(2)<\/strong> Intelligent tillverkningssystem.<\/strong> Genom automatiserade och intelligenta produktionssystem minskar de m\u00e4nskliga felen och produktionseffektiviteten f\u00f6rb\u00e4ttras.<\/p>\n\n\n\n

3. Kvalitetskontroll<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Strikt kvalitetsledningssystem.<\/strong> Omfattande kvalitetskontroll genomf\u00f6rs, fr\u00e5n upphandling av r\u00e5material till inspektion av f\u00e4rdiga produkter, f\u00f6r att s\u00e4kerst\u00e4lla att varje E-SOI-wafer uppfyller kundernas h\u00f6ga standarder.<\/p>\n\n\n\n

(2) \u00d6vervaknings- och \u00e5terkopplingsmekanism i realtid.<\/strong> Genom data\u00f6vervakning och feedback i realtid kan produktionsparametrarna justeras snabbt f\u00f6r att s\u00e4kerst\u00e4lla produktkonsistens och stabilitet.<\/p>\n\n\n\n

4. Kostnadsf\u00f6rdel<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Storskalig produktion. <\/strong>Med m\u00f6jlighet att producera i stor skala kan produktionskostnaden s\u00e4nkas genom stordriftsf\u00f6rdelar.<\/p>\n\n\n\n

(2) Optimering av leveranskedjan. <\/strong>Tack vare f\u00f6rdelarna med supply chain management kan r\u00e5varu- och logistikkostnaderna kontrolleras effektivt, vilket minskar den totala produktionskostnaden. Tack vare f\u00f6rdelarna med supply chain management kan r\u00e5varu- och logistikkostnaderna kontrolleras effektivt, vilket s\u00e4nker den totala produktionskostnaden.<\/p>\n\n\n\n

5. Kundservice<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Kundanpassad service.<\/strong> Kan tillhandah\u00e5lla kundanpassade E-SOI-wafers enligt kundernas specifika behov f\u00f6r att tillgodose behoven i olika applikationsscenarier.<\/p>\n\n\n\n

(2) Snabb leverans.<\/strong> Med flexibla produktionsscheman kan f\u00f6retaget snabbt svara p\u00e5 kundernas orderbehov och f\u00f6rkorta leveranscykeln.<\/p>\n\n\n\n

Specifikationer f\u00f6r E-SOI wafer<\/h2>\n\n\n\n

Precis som med andra Silicon On Insulator-wafers kan E-SOI-wafern anpassas f\u00f6r att passa dina exakta enhets- och processbehov. Xinkehui<\/mark> <\/a><\/strong>har det bredaste urvalet av kiselskivor p\u00e5 marknaden, och v\u00e5r f\u00f6rs\u00e4ljnings- och tekniska support hj\u00e4lper g\u00e4rna till med anpassning och val av kiselskiveparametrar f\u00f6r att hitta den optimala l\u00f6sningen f\u00f6r dina behov. V\u00e5r f\u00f6rs\u00e4ljnings- och tekniska support hj\u00e4lper g\u00e4rna till med anpassning och val av waferparametrar f\u00f6r att hitta en optimal l\u00f6sning f\u00f6r dina behov. E-SOI-wafers finns \u00e4ven tillg\u00e4ngliga som Terrace Free SOI-wafers<\/mark><\/a><\/strong>.<\/p>\n\n\n\n

Tillv\u00e4xtmetod<\/strong><\/td>Cz, MCz, A-MCz <\/strong> <\/td><\/tr>
Diameter<\/strong><\/td>150 mm, 200 mm<\/td><\/tr>
Kristallorientering<\/strong><\/td>, ,<\/td><\/tr>
N-typ dop\u00e4mnen<\/strong><\/td>Antimon, Fosfor<\/td><\/tr>
P-typ dop\u00e4mnen<\/strong><\/td>Bor<\/td><\/tr>
Resistivitet<\/strong><\/td>Fr\u00e5n 7.000 ohm-cm*.
*:: Resistivitetsomr\u00e5det varierar beroende p\u00e5 dopningsmedel och orientering <\/td><\/tr>
Enhetens skikttjocklek<\/strong><\/td>Fr\u00e5n 1 \u03bcm till >200 \u03bcm
Tolerans \u00b10,5 \u03bcm (standard BSOI), \u00b10,3 \u03bcm (0,3 SOI), \u00b10,1 \u03bcm (E-SOI)<\/strong>, Power Management SOI), \u00b10,5 \u03bcm eller l\u00e4gre (C-SOI)<\/td><\/tr>
Tjocklek p\u00e5 begravt oxidskikt<\/strong><\/td>Fr\u00e5n 0,3 \u03bcm till 4 \u03bcm, typiskt mellan 0,5 \u03bcm och 2 \u03bcm
Typ: termisk oxid<\/td><\/tr>
Hantera skivans tjocklek<\/strong><\/td>200 mm: 300 \u03bcm till 950 \u03bcm, typiskt 725 \u03bcm
150 mm: 300 \u03bcm till 950 \u03bcm, typiskt 380 \u03bcm <\/td><\/tr>
Bakre yta<\/strong><\/td>Polerad eller etsad<\/td><\/tr>
Terrassomr\u00e5de<\/strong><\/td>Standard eller Terrace Free (tillg\u00e4nglig f\u00f6r 200 mm BSOI, E-SOI och Power Management SOI)<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Fler produkter<\/h2>\n\n\n\n

F\u00f6rutom C-SOI Wafers kan vi ocks\u00e5 f\u00f6rse dig med m\u00e5nga andra optiska produkter. Vi ser fram emot ditt samr\u00e5d.<\/p>\n\n\n\n

\n
\n

Safirskivor<\/a><\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

\n

Wafers av kiselkarbid (SIC)<\/a><\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

\n

Kisel (SI) Wafer<\/a><\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

\n
\n
\"sapprie-wafer-6<\/a>
Safirskivor<\/a><\/strong><\/figcaption><\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n
\"_20240624163633-1<\/a>
Wafers av kiselkarbid (SIC)<\/a><\/strong><\/figcaption><\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n
\"1-1<\/a>
Kiselskiva<\/a><\/strong><\/figcaption><\/figure>\n<\/div><\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Introduction of E-SOI Wafer E-SOI wafers are enhanced b […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":1099,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_joinchat":[],"footnotes":""},"categories":[3,10],"tags":[],"class_list":["post-1097","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-products-catelog","category-soi-wafer"],"acf":[],"views":4613,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1097","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=1097"}],"version-history":[{"count":20,"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1097\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":1126,"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/1097\/revisions\/1126"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1099"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=1097"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=1097"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=1097"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}