{"id":563,"date":"2024-06-26T14:18:37","date_gmt":"2024-06-26T06:18:37","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/?p=563"},"modified":"2024-07-10T14:44:46","modified_gmt":"2024-07-10T06:44:46","slug":"customer-orders-3-inch-silicon-carbide-sic-wafers","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/pt\/customer-orders-3-inch-silicon-carbide-sic-wafers\/","title":{"rendered":"O cliente solicita wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas"},"content":{"rendered":"

Sobre o Case<\/h2>\n\n\n\n

Seu principal pa\u00eds de exporta\u00e7\u00e3o \u00e9 a R\u00fassia. Desta vez, seu cliente final precisa de 100 pe\u00e7as de wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas. Desta vez, seu cliente final precisa de 100 pe\u00e7as de wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas.<\/p>\n\n\n\n

O fornecedor com o qual o cliente cooperou anteriormente s\u00f3 podia fornecer a ele tamanhos regulares de wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC)<\/mark><\/a><\/strong>, Portanto, ele teve que encontrar um novo fabricante cooperativo.<\/p>\n\n\n\n

O cliente entrou em contato conosco por meio de nosso site oficial. Nossas vendas souberam, por meio da comunica\u00e7\u00e3o com o cliente, que: o cliente precisa de 4H-SIC grau P ou grau N. Nossas vendas souberam, por meio de comunica\u00e7\u00e3o com o cliente, que: o cliente precisa de 4H-SIC grau P ou grau N. Um produto de wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas com espessura de 350um com uma marca a laser no verso.<\/p>\n\n\n\n

De acordo com as necessidades do cliente e combinado com algumas de nossas experi\u00eancias anteriores de processamento e produ\u00e7\u00e3o, sob a premissa de que o cliente n\u00e3o tem necessidades especiais obrigat\u00f3rias, recomendamos o grau P 4H-SIC para o cliente porque o custo do grau P \u00e9 relativamente baixo, o que \u00e9 mais econ\u00f4mico para o cliente. Se o cliente n\u00e3o tiver necessidades especiais obrigat\u00f3rias, recomendamos o grau P 4H-SIC para o cliente porque o custo do grau P \u00e9 relativamente baixo, o que \u00e9 mais econ\u00f4mico para os clientes, e a taxa de rendimento \u00e9 melhor do que a do grau P. clientes, e a taxa de rendimento \u00e9 melhor.<\/p>\n\n\n\n

O cliente ficou muito satisfeito com a solu\u00e7\u00e3o e o pre\u00e7o que propusemos e fez um pedido para mim.<\/p>\n\n\n\n

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Wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n
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Wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n
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Wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas<\/figcaption><\/figure>\n<\/figure>\n\n\n\n

Par\u00e2metro do produto<\/h2>\n\n\n\n

Podemos fornecer wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas com os seguintes par\u00e2metros. Se quiser obter mais informa\u00e7\u00f5es, entre em contato conosco Aguardamos sua mensagem.<\/p>\n\n\n\n

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Desempenho do produto <\/strong><\/td>\n\nGrau P <\/strong><\/td>\n\nGrau N<\/strong><\/td>\n\n<\/tr>\n\n
Par\u00e2metro do cristal <\/strong><\/td><\/tr>\n\n\n
Forma de cristal <\/strong><\/td>\n 4H <\/td>\n<\/td>\n\n<\/tr>\n\n
Polim\u00f3rfico <\/strong><\/td>\nN\u00e3o permitir <\/td> \n\u00c1rea \u22645%<\/td>\n<\/tr>\n\n
Densidade de microt\u00fabulos<\/strong> <\/td>\n\n\u22640,5 pc \/cm\u00b2<\/td>\n\n\u22640,5 pc\/cm\u00b2 <\/td>\n<\/tr>\n\n
Vazio hexagonal<\/strong><\/td>\n\n N\u00e3o permitir <\/td>\n\n\u00c1rea \u22645%<\/td>\n\n<\/tr>\n\n
Cristal misto de superf\u00edcie hexagonal<\/strong><\/td>\n\n N\u00e3o permitir <\/td>\n\n\u00c1rea \u22645%<\/td>\n\n<\/tr>\n\n\n
Inv\u00f3lucro<\/strong> <\/td>\n\n\u00c1rea \u22640,05%<\/td>\n\nN\/A<\/td>\n<\/tr>\n\n
Resist\u00eancia espec\u00edfica<\/strong><\/td>\n\n\u22651E9\u03a9-cm <\/td>\n\n\u22651E5\u03a9-cm<\/td>\n\n<\/tr>\n\n
(0004) Curva de oscila\u00e7\u00e3o de XRD Largura de meia altura (FWHM) <\/strong><\/td>\n\n\u226445 Arcseconds <\/td>\n\nN\/A <\/td>\n\n<\/tr>\n\n
Par\u00e2metro mec\u00e2nico<\/strong><\/td><\/tr>\n\n
Di\u00e2metro<\/strong> <\/td>\n\n76,2 mm\u00b10,38 mm \n\n<\/td> <\/tr>\n\n\n
Orienta\u00e7\u00e3o da superf\u00edcie <\/strong><\/td>\n\n{0001}\u00b10.2\u00b0<\/td> \n\n<\/tr>\n\n
Comprimento da borda de refer\u00eancia principal<\/strong> <\/td>\n\n22,0 mm \u00b1 2,0 mm<\/td> \n\n<\/tr>\n\n
Comprimento da borda de refer\u00eancia principal <\/strong><\/td>\n\n22,0 mm \u00b1 2,0 mm<\/td> \n\n<\/tr>\n\n
Comprimento lateral da refer\u00eancia secund\u00e1ria <\/strong><\/td>\n\n11,0 mm \u00b1 1,5 mm<\/td> \n\n<\/tr>\n\n
Orienta\u00e7\u00e3o do plano de refer\u00eancia principal <\/strong><\/td>\n\nParalelo a <11-20> \u00b1 5.0\u02da<\/td> \n\n<\/tr>\n\n
Orienta\u00e7\u00e3o do plano de refer\u00eancia secund\u00e1rio <\/strong><\/td>\n\nNo sentido hor\u00e1rio em rela\u00e7\u00e3o ao plano de refer\u00eancia principal a 90\u02da \u00b1 5,0\u02da, Si voltado para cima<\/td> \n\n<\/tr>\n\n\n
Tratamento de superf\u00edcie<\/strong><\/td>\n\nLado C: polimento espelhado, lado SI: polimento qu\u00edmico-mec\u00e2nico (CMP)<\/td> \n\n<\/tr>\n\n
Borda do wafer<\/strong><\/td>\n\nChanfro<\/td> \n\n<\/tr>\n
Rugosidade da superf\u00edcie <\/strong>\n(5\u03bcm x 5\u03bcm) <\/td>\n\nSuperf\u00edcie de Si Ra<0,2 nm<\/td> \n\n<\/tr>\n
Espessura <\/strong><\/td>\n\n350,0\u00b125,0\u03bcm ou 500,0\u00b125,0\u03bcm<\/td> \n\n<\/tr>\n
LTV (10 mm x 10 mm)<\/strong><\/td>\n\n\u22643\u00b5m<\/td> \n\n\u22645\u00b5m<\/td> \n\n<\/tr>\n
LTV (10 mm x 10 mm)<\/strong><\/td>\n\n\u22643\u00b5m<\/td> \n\n\u22645\u00b5m<\/td> \n\n<\/tr>\n
Varia\u00e7\u00e3o da espessura total (TTV)<\/strong><\/td>\n\n\u226410\u00b5m<\/td> \n\n\u226410\u00b5m<\/td> \n\n<\/tr>\n
Curvatura (valor absoluto) (Arco)<\/strong><\/td>\n\n\u226415\u00b5m<\/td> \n\n\u226425\u00b5m<\/td> \n\n<\/tr>\n\n
Deformar <\/strong><\/td>\n\n\u226425\u00b5m<\/td> \n\n\u226435\u00b5m<\/td> \n\n<\/tr>\n
Curvatura (valor absoluto) (Arco)<\/strong><\/td>\n\n\u226415\u00b5m<\/td> \n\n\u226425\u00b5m<\/td> \n\n<\/tr>\n\n\n
Par\u00e2metros de superf\u00edcie<\/strong><\/td> \n\n<\/tr>\n\n\n
Quebra de borda\/folga<\/strong><\/td>\n\nN\u00e3o \u00e9 permitida nenhuma quebra de borda com comprimento ou largura \u22650,5 mm<\/td> \n\n\u22642, e cada comprimento e largura \u22641,0 mm<\/td> \n\n<\/tr>\n
Arranh\u00e3o\n(Superf\u00edcie de Si, CS8520)<\/strong><\/td>\n\n\u22644 pe\u00e7as, e o comprimento total \u22640,5 vezes o di\u00e2metro<\/td> \n\n\u22645 pe\u00e7as, e o comprimento total \u22641,5 vezes o di\u00e2metro<\/td> \n\n<\/tr>\n
Crack <\/strong><\/td>\n\n N\u00e3o permitir <\/td> \n\n\n<\/tr>\n\n
Contamina\u00e7\u00e3o<\/strong><\/td>\n\n N\u00e3o permitir <\/td> \n\n\n<\/tr>\n\n
Remo\u00e7\u00e3o de bordas<\/strong><\/td>\n\n 3 mm <\/td> \n\n\n<\/tr>\n\n<\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Sobre wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas<\/h2>\n\n\n\n

Os wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) s\u00e3o cruciais em v\u00e1rias aplica\u00e7\u00f5es de alta pot\u00eancia, alta frequ\u00eancia e alta temperatura devido \u00e0 sua excepcional qualidade. Aqui est\u00e1 uma vis\u00e3o detalhada dos wafers de SIC de 3 polegadas.<\/p>\n\n\n\n

Especifica\u00e7\u00f5es de wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas<\/h3>\n\n\n\n

Di\u00e2metro. <\/strong>3 polegadas (76,2 mm)<\/p>\n\n\n\n

Espessura. <\/strong>Normalmente, varia de 250 \u00b5m a 500 \u00b5m.<\/p>\n\n\n\n

Orienta\u00e7\u00e3o.<\/strong> As orienta\u00e7\u00f5es comuns incluem substratos de 4\u00b0 fora do eixo (0001) e (0001)<\/p>\n\n\n\n

Acabamento da superf\u00edcie.<\/strong> Os wafers Epi-ready normalmente t\u00eam uma superf\u00edcie polida em um lado e uma superf\u00edcie retificada no outro.<\/p>\n\n\n\n

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Wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC) de 3 polegadas<\/figcaption><\/figure>\n<\/div>\n\n\n\n
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Propriedades dos wafers de carbeto de sil\u00edcio (SIC)<\/strong><\/h3>\n\n\n\n
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