{"id":1097,"date":"2024-08-14T14:02:00","date_gmt":"2024-08-14T06:02:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/?p=1097"},"modified":"2024-08-14T15:36:19","modified_gmt":"2024-08-14T07:36:19","slug":"e-soi-wafer","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sapphire-glass.net\/fr\/e-soi-wafer\/","title":{"rendered":"Plaque E-SOI"},"content":{"rendered":"

Introduction de la plaquette E-SOI<\/h2>\n\n\n\n

Les plaquettes E-SOI sont des plaquettes de silicium sur isolant am\u00e9lior\u00e9es, avec une couche d'oxyde enterr\u00e9e (BOX) entre la plaquette de poign\u00e9e inf\u00e9rieure et la plaquette de silicium sup\u00e9rieure, qui est amincie avec une pr\u00e9cision extr\u00eamement \u00e9lev\u00e9e pour obtenir la meilleure uniformit\u00e9 d'\u00e9paisseur de couche de dispositif de sa cat\u00e9gorie. La couche de dispositif des plaquettes Enhanced SOI (E-SOI) peut \u00eatre rendue plus \u00e9paisse et plus pr\u00e9cise. La couche de dispositif des plaquettes Enhanced SOI (E-SOI) peut \u00eatre rendue plus \u00e9paisse et plus uniforme que les technologies SOI concurrentes.<\/p>\n\n\n\n

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\"BSOI-Wafers-5
Plaque E-SOI<\/figcaption><\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
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En g\u00e9n\u00e9ral, les capteurs MEMS sont construits sur la couche de dispositif, tandis que l'oxyde enfoui (BOX) est une excellente couche d'isolation \u00e9lectrique et un arr\u00eat efficace de la gravure. La couche BOX peut \u00e9galement servir de couche sacrificielle pour les composants complexes et les structures lib\u00e9r\u00e9es. La tranche de poign\u00e9e supporte la structure, mais peut \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9e pour sceller la structure ou faire partie de l'\u00e9l\u00e9ment de d\u00e9tection.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Avantages de la plaquette E-SOI<\/h2>\n\n\n\n

Une plaquette E-SOI (Enhanced Silicon-On-Insulator) est un type sp\u00e9cialis\u00e9 de substrat semi-conducteur qui offre plusieurs avantages dans la fabrication de circuits int\u00e9gr\u00e9s (CI). de circuits int\u00e9gr\u00e9s (CI). Ces avantages sont notamment les suivants<\/p>\n\n\n\n

1. une consommation d'\u00e9nergie r\u00e9duite<\/mark><\/strong>
Les plaquettes E-SOI permettent de r\u00e9duire la consommation d'\u00e9nergie des circuits int\u00e9gr\u00e9s car la couche isolante (g\u00e9n\u00e9ralement du dioxyde de silicium) r\u00e9duit les courants de fuite. Cette r\u00e9duction est particuli\u00e8rement importante pour les appareils mobiles et les appareils fonctionnant sur batterie.<\/p>\n\n\n\n

2. l'am\u00e9lioration des performances<\/mark><\/strong>
La capacit\u00e9 parasite r\u00e9duite des plaques E-SOI augmente la vitesse des transistors, ce qui acc\u00e9l\u00e8re le fonctionnement des circuits. Les plaques E-SOI sont donc adapt\u00e9es aux applications \u00e0 grande vitesse. Les plaquettes E-SOI conviennent donc aux applications \u00e0 grande vitesse.<\/p>\n\n\n\n

3. une meilleure dissipation de la chaleur<\/mark><\/strong>
La couche isolante des plaquettes E-SOI contribue \u00e0 une meilleure gestion thermique, en r\u00e9duisant la chaleur g\u00e9n\u00e9r\u00e9e par les circuits. performance et la fiabilit\u00e9 des circuits int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 haute densit\u00e9.<\/p>\n\n\n\n

4. r\u00e9duction du bruit du substrat<\/mark><\/strong>
Les plaquettes E-SOI pr\u00e9sentent un bruit de substrat plus faible en raison de l'isolation fournie par la couche d'oxyde enterr\u00e9e, ce qui est b\u00e9n\u00e9fique pour les circuits analogiques et \u00e0 signaux mixtes o\u00f9 le bruit peut d\u00e9grader les performances. Ceci est b\u00e9n\u00e9fique pour les circuits analogiques et \u00e0 signaux mixtes o\u00f9 le bruit peut d\u00e9grader les performances.<\/p>\n\n\n\n

5. \u00e9volutivit\u00e9 et int\u00e9gration<\/mark><\/strong>
La technologie E-SOI permet de r\u00e9duire l'\u00e9chelle des transistors, ce qui permet de cr\u00e9er des circuits plus petits et plus denses. Elle facilite \u00e9galement l'int\u00e9gration de diff\u00e9rents types de dispositifs (analogiques, RF, num\u00e9riques) sur la m\u00eame puce. Elle facilite \u00e9galement l'int\u00e9gration de diff\u00e9rents types de dispositifs (analogiques, RF, num\u00e9riques) sur la m\u00eame puce.<\/p>\n\n\n\n

6. duret\u00e9 du rayonnement<\/mark><\/strong>
Les plaquettes E-SOI sont plus r\u00e9sistantes aux erreurs l\u00e9g\u00e8res induites par les rayonnements, ce qui les rend adapt\u00e9es aux applications spatiales, militaires et autres environnements \u00e0 haut niveau de rayonnement. environnements.<\/p>\n\n\n\n

7. une plus grande souplesse de conception<\/mark><\/strong>
La structure E-SOI offre une plus grande flexibilit\u00e9 dans la conception des circuits, ce qui permet de mettre en \u0153uvre des fonctions avanc\u00e9es telles que l'ajustement dynamique de la tension de seuil, qui peut optimiser les performances et la consommation d'\u00e9nergie de mani\u00e8re dynamique. qui permet d'optimiser dynamiquement les performances et la consommation d'\u00e9nergie.<\/p>\n\n\n\n

8. r\u00e9duction des effets du canal court<\/mark><\/strong>
La couche isolante des plaquettes E-SOI att\u00e9nue les effets de canal court, qui sont fr\u00e9quents dans les transistors de tr\u00e8s petite taille, ce qui contribue \u00e0 maintenir l'int\u00e9grit\u00e9 et les performances des transistors \u00e0 mesure qu'ils sont mis \u00e0 l'\u00e9chelle. La couche isolante des plaquettes E-SOI att\u00e9nue les effets de canal court qui sont fr\u00e9quents dans les tr\u00e8s petits transistors.<\/p>\n\n\n\n

9. une capacit\u00e9 parasite plus faible<\/mark><\/strong>
La structure SOI permet de r\u00e9duire la capacit\u00e9 parasite entre le dispositif et le substrat, ce qui permet d'acc\u00e9l\u00e9rer les vitesses de commutation et d'am\u00e9liorer la qualit\u00e9 des produits. La structure SOI permet de r\u00e9duire la capacit\u00e9 parasite entre le dispositif et le substrat, ce qui permet d'acc\u00e9l\u00e9rer les vitesses de commutation et d'am\u00e9liorer les performances.<\/p>\n\n\n\n

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\"Plaquette<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
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La plaquette E-SOI est une solution avanc\u00e9e qui pr\u00e9sente de nombreux avantages.<\/strong><\/p>\n\n\n\n

1. une plus grande libert\u00e9 dans la conception des appareils qu'avec les technologies concurrentes<\/p>\n\n\n\n

2. am\u00e9lioration des performances et de la pr\u00e9cision de l'appareil<\/p>\n\n\n\n

3. r\u00e9duction de la taille et du co\u00fbt de l'appareil<\/p>\n\n\n\n

4. am\u00e9lioration du rendement des dispositifs<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Ces avantages font des plaques E-SOI un choix pr\u00e9cieux pour la fabrication de semi-conducteurs avanc\u00e9s, en particulier pour les applications exigeant des performances \u00e9lev\u00e9es, une faible consommation d'\u00e9nergie et une grande fiabilit\u00e9. performance, une faible consommation d'\u00e9nergie et une grande fiabilit\u00e9.<\/p>\n\n\n\n

Application de la plaquette E-SOI<\/h2>\n\n\n\n

Les plaquettes E-SOI (Enhanced Silicon-On-Insulator) sont utilis\u00e9es dans diverses applications \u00e0 travers diff\u00e9rents secteurs en raison de leur capacit\u00e9 \u00e0 am\u00e9liorer les performances, \u00e0 r\u00e9duire la consommation d'\u00e9nergie et \u00e0 am\u00e9liorer la fiabilit\u00e9 des circuits int\u00e9gr\u00e9s (CI). Les plaques E-SOI (Enhanced Silicon-On-Insulator) sont utilis\u00e9es dans diverses applications \u00e0 travers diff\u00e9rents secteurs en raison de leur capacit\u00e9 \u00e0 am\u00e9liorer les performances, \u00e0 r\u00e9duire la consommation d'\u00e9nergie et \u00e0 renforcer la fiabilit\u00e9 des circuits int\u00e9gr\u00e9s (CI). Les principales applications des plaquettes E-SOI sont les suivantes.<\/p>\n\n\n\n

1. les appareils mobiles et portables<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Smartphones<\/strong> et montres intelligentes<\/strong> Les produits \u00e9lectroniques portables b\u00e9n\u00e9ficient des plaquettes E-SOI en raison de leur faible consommation d'\u00e9nergie et de leurs capacit\u00e9s \u00e0 grande vitesse. Ces caract\u00e9ristiques sont cruciales pour prolonger la dur\u00e9e de vie des batteries Ces caract\u00e9ristiques sont essentielles pour prolonger la dur\u00e9e de vie des batteries tout en maintenant des performances \u00e9lev\u00e9es dans l'\u00e9lectronique portable.<\/p>\n\n\n\n

2. le calcul \u00e0 haute performance (HPC)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Les plaques E-SOI sont utilis\u00e9es dans microprocesseurs<\/strong> et les unit\u00e9s de traitement graphique (GPU)<\/strong> La r\u00e9duction de la capacit\u00e9 parasite et l'am\u00e9lioration de la gestion thermique permettent des vitesses de traitement plus rapides et une plus grande efficacit\u00e9, ce qui est essentiel dans les environnements HPC. La capacit\u00e9 parasite r\u00e9duite et la gestion thermique am\u00e9lior\u00e9e permettent des vitesses de traitement plus rapides et une plus grande efficacit\u00e9, ce qui est essentiel dans les environnements HPC.<\/p>\n\n\n\n

3. l'\u00e9lectronique automobile<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Dans l'industrie automobile, les wafers E-SOI sont utilis\u00e9s dans les syst\u00e8mes avanc\u00e9s d'aide \u00e0 la conduite (ADAS)<\/strong>, syst\u00e8mes d'infodivertissement<\/strong>, La capacit\u00e9 des plaquettes \u00e0 fonctionner de mani\u00e8re fiable dans des environnements \u00e0 haute temp\u00e9rature et leur r\u00e9sistance aux erreurs induites par les radiations sont particuli\u00e8rement pr\u00e9cieuses pour les applications automobiles. La capacit\u00e9 des plaquettes \u00e0 fonctionner de mani\u00e8re fiable dans des environnements \u00e0 haute temp\u00e9rature et leur r\u00e9sistance aux erreurs induites par les radiations sont particuli\u00e8rement pr\u00e9cieuses pour les applications automobiles.<\/p>\n\n\n\n

4. l'internet des objets (IdO)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Les plaques E-SOI sont utilis\u00e9es dans les appareils IoT qui n\u00e9cessitent une faible consommation d'\u00e9nergie et des performances \u00e9lev\u00e9es, tels que capteurs intelligents<\/strong>, appareils domestiques connect\u00e9s<\/strong>, et IdO industriel<\/strong> L'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des plaques E-SOI est essentielle pour les appareils qui doivent fonctionner avec de petites batteries pendant de longues p\u00e9riodes.<\/p>\n\n\n\n

5. les t\u00e9l\u00e9communications<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Les plaques E-SOI sont utilis\u00e9es dans Infrastructure 5G<\/strong> et \u00e9quipement de mise en r\u00e9seau<\/strong>, Ils favorisent l'int\u00e9gration des composants haute fr\u00e9quence, qui sont essentiels pour les syst\u00e8mes de communication modernes. Ils favorisent l'int\u00e9gration des composants \u00e0 haute fr\u00e9quence, qui sont essentiels pour les syst\u00e8mes de communication modernes.<\/p>\n\n\n\n

6. a\u00e9rospatiale et d\u00e9fense<\/strong><\/p>\n\n\n\n

La duret\u00e9 du rayonnement des plaquettes E-SOI les rend aptes \u00e0 \u00eatre utilis\u00e9es dans les domaines suivants satellites<\/strong>, vaisseau spatial<\/strong>, et \u00c9lectronique militaire<\/strong>. Ces applications exigent une grande fiabilit\u00e9 dans des environnements difficiles, o\u00f9 les plaquettes de silicium traditionnelles risquent de tomber en panne.<\/p>\n\n\n\n

7. l'\u00e9lectronique grand public<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Les plaquettes E-SOI sont utilis\u00e9es dans divers produits \u00e9lectroniques grand public, notamment consoles de jeux<\/strong>, t\u00e9l\u00e9viseurs<\/strong>, et syst\u00e8mes audio<\/strong>. L'am\u00e9lioration des performances et de l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique contribue \u00e0 am\u00e9liorer l'exp\u00e9rience des utilisateurs de ces appareils.<\/p>\n\n\n\n

8. Dispositifs m\u00e9dicaux<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Dans le domaine m\u00e9dical, les plaques E-SOI sont utilis\u00e9es pour dispositifs implantables<\/strong>, \u00e9quipement de diagnostic portable<\/strong>, et d'autres \u00e9lectronique m\u00e9dicale<\/strong>. La faible consommation d'\u00e9nergie et la fiabilit\u00e9 des plaquettes sont essentielles pour les dispositifs qui doivent fonctionner en continu ou dans des environnements sensibles.<\/p>\n\n\n\n

9. circuits \u00e0 signaux mixtes et RF<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Les plaques E-SOI sont id\u00e9ales pour circuits int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 signaux mixtes<\/strong> et Circuits RF (radiofr\u00e9quence)<\/strong>, Ces applications comprennent dispositifs de communication sans fil<\/strong> et syst\u00e8mes radar<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n

10. l'intelligence artificielle (IA) et l'apprentissage automatique (ML)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Les plaques de E-SOI sont de plus en plus utilis\u00e9es dans les domaines suivants Acc\u00e9l\u00e9rateurs d'IA<\/strong> et Processeurs ML<\/strong>. La combinaison d'une vitesse \u00e9lev\u00e9e, d'une faible consommation d'\u00e9nergie et de l'\u00e9volutivit\u00e9 fait que les plaquettes E-SOI sont adapt\u00e9es \u00e0 la gestion des demandes de calcul intensif des algorithmes d'IA et de ML. algorithmes d'IA et de ML.<\/p>\n\n\n\n

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\"Plaque<\/figure>\n\n\n\n
\"Hcf148dde7bc94500a43215eb57c8849fc<\/figure>\n\n\n\n
\"OIP-10<\/figure>\n<\/figure>\n\n\n\n

Ces applications mettent en \u00e9vidence la polyvalence et l'importance des plaques E-SOI dans l'\u00e9lectronique moderne, en particulier dans les domaines o\u00f9 la performance, l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la fiabilit\u00e9 sont primordiales. l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et la fiabilit\u00e9 sont primordiales.<\/p>\n\n\n\n

Avantages de notre production de plaques SOI<\/h2>\n\n\n\n

En ce qui concerne la production de plaquettes E-SOI (Enhanced Silicon On Insulator), xinkehuij pr\u00e9sente les avantages suivants.<\/p>\n\n\n\n

1) Capacit\u00e9s techniques<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Contr\u00f4le avanc\u00e9 des processus.<\/strong> Ma\u00eetrisant une technologie de processus stable et de haute pr\u00e9cision, elle peut r\u00e9pondre \u00e0 des sp\u00e9cifications strictes en termes d'\u00e9paisseur et d'uniformit\u00e9 de la couche SOI.<\/p>\n\n\n\n

(2)<\/strong> Capacit\u00e9s d'innovation.<\/strong> Des innovations technologiques uniques sont adopt\u00e9es dans le processus de production, telles que l'introduction de nouveaux mat\u00e9riaux ou de proc\u00e9d\u00e9s de fabrication uniques, qui am\u00e9liorent les performances \u00e9lectriques et la fiabilit\u00e9 des plaquettes. qui am\u00e9liorent les performances \u00e9lectriques et la fiabilit\u00e9 des plaquettes.<\/p>\n\n\n\n

2. l'\u00e9quipement et les installations<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1)<\/strong> \u00c9quipement de pointe. <\/strong>L'utilisation d'\u00e9quipements de pointe tels que les implanteurs d'ions, les \u00e9quipements de croissance \u00e9pitaxiale et les \u00e9quipements de polissage m\u00e9canique chimique (CMP) garantit un haut niveau de qualit\u00e9. L'utilisation d'\u00e9quipements de pointe tels que les implanteurs d'ions, les \u00e9quipements de croissance \u00e9pitaxiale et les \u00e9quipements de polissage m\u00e9canique chimique (CMP) permet d'obtenir des r\u00e9sultats \u00e9lev\u00e9s.<\/p>\n\n\n\n

(2)<\/strong> Syst\u00e8me de fabrication intelligent.<\/strong> Les syst\u00e8mes de production automatis\u00e9s et intelligents permettent de r\u00e9duire les erreurs humaines et d'am\u00e9liorer l'efficacit\u00e9 de la production.<\/p>\n\n\n\n

3. le contr\u00f4le de la qualit\u00e9<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Syst\u00e8me strict de gestion de la qualit\u00e9.<\/strong> Un contr\u00f4le de qualit\u00e9 complet est mis en \u0153uvre, depuis l'approvisionnement en mati\u00e8res premi\u00e8res jusqu'\u00e0 l'inspection des produits finis, afin de garantir que chaque plaquette E-SOI r\u00e9ponde aux exigences \u00e9lev\u00e9es des clients. aux normes \u00e9lev\u00e9es des clients.<\/p>\n\n\n\n

(2) M\u00e9canisme de suivi et de retour d'information en temps r\u00e9el.<\/strong> Gr\u00e2ce \u00e0 la surveillance des donn\u00e9es en temps r\u00e9el et au retour d'information, les param\u00e8tres de production peuvent \u00eatre ajust\u00e9s rapidement pour garantir l'uniformit\u00e9 et la stabilit\u00e9 du produit.<\/p>\n\n\n\n

4. avantage en termes de co\u00fbts<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Production \u00e0 grande \u00e9chelle. <\/strong>La capacit\u00e9 de produire \u00e0 grande \u00e9chelle permet de r\u00e9duire les co\u00fbts de production gr\u00e2ce aux \u00e9conomies d'\u00e9chelle.<\/p>\n\n\n\n

(2) Optimisation de la cha\u00eene d'approvisionnement. <\/strong>Gr\u00e2ce aux avantages de la gestion de la cha\u00eene d'approvisionnement, le co\u00fbt des mati\u00e8res premi\u00e8res et de la logistique peut \u00eatre contr\u00f4l\u00e9 efficacement, ce qui permet de r\u00e9duire le co\u00fbt de production global. Gr\u00e2ce aux avantages de la gestion de la cha\u00eene d'approvisionnement, le co\u00fbt des mati\u00e8res premi\u00e8res et de la logistique peut \u00eatre contr\u00f4l\u00e9 efficacement, ce qui permet de r\u00e9duire le co\u00fbt de production global.<\/p>\n\n\n\n

5. service client\u00e8le<\/strong><\/p>\n\n\n\n

(1) Service personnalis\u00e9.<\/strong> Capacit\u00e9 \u00e0 fournir des plaquettes E-SOI personnalis\u00e9es en fonction des besoins sp\u00e9cifiques des clients afin de r\u00e9pondre aux besoins de diff\u00e9rents sc\u00e9narios d'application.<\/p>\n\n\n\n

(2) Livraison rapide.<\/strong> Gr\u00e2ce \u00e0 des capacit\u00e9s de programmation de la production flexibles, elle peut r\u00e9pondre rapidement aux besoins des clients et raccourcir le cycle de livraison.<\/p>\n\n\n\n

Sp\u00e9cifications des plaques E-SOI<\/h2>\n\n\n\n

Comme pour les autres plaques de silicium sur isolant, la plaque E-SOI peut \u00eatre personnalis\u00e9e pour r\u00e9pondre exactement \u00e0 vos besoins en mati\u00e8re de dispositifs et de processus. Xinkehui<\/mark> <\/a><\/strong>dispose de la plus grande s\u00e9lection de plaques de silicium sur le march\u00e9, et notre service commercial et technique est heureux de vous aider \u00e0 personnaliser et \u00e0 s\u00e9lectionner les param\u00e8tres de la plaque pour trouver la solution optimale \u00e0 vos besoins. Notre service commercial et notre service technique sont heureux de vous aider \u00e0 personnaliser et \u00e0 s\u00e9lectionner les param\u00e8tres des plaquettes afin de trouver une solution optimale pour vos besoins. Les plaquettes E-SOI sont \u00e9galement disponibles sous forme de Terrace Free. Plaques SOI<\/mark><\/a><\/strong>.<\/p>\n\n\n\n

M\u00e9thode de croissance<\/strong><\/td>Cz, MCz, A-MCz <\/strong> <\/td><\/tr>
Diam\u00e8tre<\/strong><\/td>150 mm, 200 mm<\/td><\/tr>
Orientations cristallines<\/strong><\/td>, ,<\/td><\/tr>
Dopants de type N<\/strong><\/td>Antimoine, Phosphore<\/td><\/tr>
Dopants de type P<\/strong><\/td>Bore<\/td><\/tr>
R\u00e9sistivit\u00e9<\/strong><\/td>De 7 000 Ohm-cm*.
*: : La plage de r\u00e9sistivit\u00e9 varie en fonction du dopant et de l'orientation. <\/td><\/tr>
Epaisseur de la couche du dispositif<\/strong><\/td>De 1 \u03bcm \u00e0 >200 \u03bcm
Tol\u00e9rance \u00b10,5 \u03bcm (BSOI standard), \u00b10,3 \u03bcm (0,3 SOI), \u00b10,1 \u03bcm (E-SOI)<\/strong>, (SOI), \u00b10,5 \u03bcm ou moins (C-SOI)<\/td><\/tr>
\u00c9paisseur de la couche d'oxyde enfouie<\/strong><\/td>De 0,3 \u03bcm \u00e0 4 \u03bcm, typiquement entre 0,5 \u03bcm et 2 \u03bcm.
Type : oxyde thermique<\/td><\/tr>
\u00c9paisseur de la plaquette de manutention<\/strong><\/td>200 mm : 300 \u03bcm \u00e0 950 \u03bcm, typiquement 725 \u03bcm
150 mm : 300 \u03bcm \u00e0 950 \u03bcm, typiquement 380 \u03bcm <\/td><\/tr>
Face arri\u00e8re<\/strong><\/td>Poli ou grav\u00e9<\/td><\/tr>
Terrasse<\/strong><\/td>Standard ou sans terrasse (disponible pour 200 mm BSOI, E-SOI et Power Management SOI)<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Plus de produits<\/h2>\n\n\n\n

Outre les plaquettes C-SOI, nous pouvons \u00e9galement vous fournir de nombreux autres produits optiques. Nous nous r\u00e9jouissons de votre consultation.<\/p>\n\n\n\n

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\n

Plaquettes saphir<\/a><\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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Plaquettes en carbure de silicium (SIC)<\/a><\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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Plaque de silicium (SI)<\/a><\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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\"sapprie-wafer-6<\/a>
Plaquettes saphir<\/a><\/strong><\/figcaption><\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n
\"\u5fae\u4fe1\u56fe\u7247_20240624163633-1<\/a>
Plaquettes en carbure de silicium (SIC)<\/a><\/strong><\/figcaption><\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
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\"1-1<\/a>
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